2019年8月13日火曜日

AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB


AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

製品特徴



  • フォームファクタ: M.2 2280
  • インターフェース: PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.3
  • 容量: 500 GB*
  • Sequential 読み込み : 最大 5000 MB/s
  • Sequential 書き込み : 最大 2500 MB/s
  • TRIM & S.M.A.R.T 対応
  • 全面銅製ヒートシンク形状




■最先端 PCIe 4.0 x4 コントローラー


最先端の PCIe 4.0 x4 コントローラである Phison PS5016-E16 は 28nm 製造技術により製造されています。 最新の 3D TLC NAND フラッシュ を採用し、高度な製造プロセスにより、PS5016-E16 は ECC 処理に十分な処理能力を備えています。 PS5016-E16 は、32個の CE ターゲットを持つ8個の NAND チャネル、DDR4 DRAM キャッシュ、および PCIe 4.0 x4 インターフェイスも備えています。 機能に関しては、NVMe 1.3プロトコル、LDPC エラー訂正、および Wear Leveling、オーバープロビジョニング技術に対応しています。

■高性能かつ高品質な NAND Flash


TOSHIBA BiCS4 96 層 3D TLC (800MT/s)


Toshiba BiCS4 NAND Flash は、単位面積あたりの記憶スペースを増やすために96層であり、回路とアーキテクチャが最適化されています。 AORUS NVMe Gen. 4 SSD の 800 MT/s スループットは、優れたストレージ・パフォーマンスのために、PCIe 3.0 x4 デバイスのスループットをはるかに上回ります。
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

■超高性能ストレージ


新しい PCIe 4.0 コントローラを搭載した AORUS NVMe Gen. 4 SSD は、最大 5,000 MB/s のシーケンシャル・リード、 および最大 2,500 M/s のシーケンシャル・ライトを実現します。PCIe 4.0 SSD のシーケンシャル読み/書きパフォーマンスは、 PCIe 3.0 SSD よりも最大40%高速です。より速く、より滑らかな、ゲーム、ストリーミング、そしてグラフィックを多用するレンダリングなど、 次世代の性能を体験しましょう。
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

■全面銅製ヒートシンク形状による圧倒的放熱性


全面銅製ヒートシンクは、デバイスの前面と背面の両主要コンポーネント、コントローラ、および NAND フラッシュからの熱伝達を考慮に入れています。 全面銅製ヒートシンクは、アルミ製ヒートシンクと比較して69%高い熱伝達能力を持ち、AORUS NVMe Gen 4 SSD は最高の放熱性を発揮します。
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

■全面銅製ヒートシンク形状


メッキされた一般的な M.2 ヒートスプレッダと比較して、27個のフィンを備えた新しい効率的銅製ヒートスプレッダはより大きな表面積を追加し、 熱源からの熱伝達を改善して熱バランスを早くします。さらに、最適化されたフィンアレイ設計は、あらゆる方向の空気流と大きな熱交換を行います。 どちらのユニークなデザインも、PCIe 4.0 SSD の主要コンポーネントが超高転送レート下で、適切な動作温度を維持できるようにします。
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

■SSD ツールボックス


SSD ツールボックスは、ユーザーが SSD の状態を監視し、モデル名、FW バージョン、健康状態などの情報を確認し、 センサー温度を検出するのに役立つアプリケーションです。さらに、ユーザーは Secure Erase 機能を使用してすべてのデータを完全に消去することができます。
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

■サイズ

AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB


■各スペック

AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB




詳細スペック


Interface


PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3

Form Factor


M.2 2280

Total Capacity


500GB

Warranty


Limited 5-years or 850TBW

NAND


3D TLC Toshiba BiCS4

External DDR Cache


DDR4 512MB

Sequential Read speed


Up to 5000 MB/s

Sequential Write speed


Up to 2500 MB/s

Random Read IOPS


up to 400k

Random Write IOPS


up to 550k

Dimension (W x H x L)


80.5 x 11.4 x 23.5 mm

Mean time between failure (MTBF)


1.77 million hours

Power Consumption (Active)


Average: R : 5.9W; W : 4.5W

Power Consumption (Idle)


13.21mW

Temperature (Operating)


0°C to 70°C

Temperature (Storage)


-40°C to 85°C



画像

AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

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